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| Método de detección | Haz | Retro-reflectante (con función MSR)*1 | Reflexivo difuso | |
| Modelo | HorizontalE3S-CT11 (-M1J) | E3S-CR11 horizontal (-M1J) | E3S-CD11 horizontal (-M1J) | HorizontalE3S-CD12 (-M1J) |
| Modelo | VerticalE3S-CT61 (-M1J) | VerticalE3S-CR61(-M1J) | E3S-CD61 vertical (-M1J) | VerticalE3S-CD62 (-M1J) |
| Distancia de detección | 30 m | 3 m (cuando se usa E39-R1) | 700 mm (Libro blanco de 300 ´ 300 mm) | 2 m (Libro blanco de 300 ´ 300 mm) |
| Objeto de detección estándar | Opaco, 15 mm de diámetro. mínimo | Opque, 75 mm de diámetro. mínimo | - | |
| Viajes diferenciales | - | 20% máx. de distancia de detección | ||
| Ángulo direccional | Emisor y receptor: 3 ° a 15 ° | 3 ° a 10 ° | - | |
| Fuente de luz (longitud de onda) | LED infrarrojo (880 nm) | LED rojo (700 nm) | LED infrarrojo (880 nm) | |
| Voltaje de la fuente de alimentación | 10 a 30 VDC, incluyendo 10% (PP) Ripple | |||
| Consumo actual | 50 mA Máx. (Emisor 25 mA Max. Receptor 25 mA Máx.) | 40 mA Máx. | ||
| Salida de control | Voltaje de la fuente de alimentación de carga: 30 V CC Máx. Corriente de carga: 100 mA Máx. (Voltaje residual: salida de NPN: 1.2 V Máx., Salida PNP: 2.0 V Máx.) Abra la salida del controlador (NPN/PNP seleccionable) Ligero/Oscuro seleccionado | |||
| Circuitos de protección | Protección del circuito de polarización inversa de la fuente de alimentación, protección contra cortocircuito de salida | Protección de polaridad inversa de la fuente de alimentación, protección de cortocircuito de salida, prevención de interferencias mutuas | ||
| Tiempo de respuesta | Operar o restablecer: 1 ms max. | Operar o restablecer 2 ms max. | ||
| Ajuste de sensibilidad | Ajustador de una vuelta | Ajustador interminable de dos giros con un indicador | ||
| Iluminación ambiental (lado del receptor) | Lámpara incandescente: 5,000 lx Máx. Luz solar: 10,000 lx max. | |||
| Rango de temperatura ambiente | Operación: -25 ° C a 55 ° C, almacenamiento: -40 ° C a 70 ° C (sin hielo ni condensación) | |||
| Rango de humedad ambiental | Operación: 35% a 85%, almacenamiento: 35% a 95% (sin condensación) | |||
| Resistencia a aislamiento | 20 MΩ min. (a 500 VDC) | |||
| Resistencia dieléctrica | 1,000 VAC, 50/60 Hz durante 1 minuto | |||
| Resistencia a la vibración | Destrucción: 10 a 2,000 Hz, doble amplitud de 1.5 mm o 300 m/s2 durante 0.5 horas cada una en direcciones x, y y z | |||
| Resistencia a la conmoción | Destrucción: 1,000 m/s2 3 veces cada uno en direcciones x, y y z | |||
| Grado de protección | IEC 60529: IP67 (estándares internos: resistente al aceite), NEMA: 6p (solo en interiores) *2 | |||
| Método de conexión | Conector M12 previamente cableado (longitud estándar: 2 m) o pre-cableado (longitud del cable estándar: 0.3 m) | |||
| Peso (estado lleno) | Aprox. 270 g (cable precableado) Aprox. 230 g (Conector precableado (M12)) | Aprox. 160 g (cable precableado) Aprox. 130 g (Conector precableado (M12)) | Aprox. 150 g (cable precableado) Aprox. 110 g (Conector precableado (M12)) | |
| Caso | Zinc-Cast-Cast | |||
| Cubierta del panel de operación | PES (poliéter sulfone) | |||
| Lente | Resina metacrílica | |||
| MontajeSoporte | Acero inoxidable (SUS304) | |||
| Accesorios | Soporte de montaje (con tornillos), destornillador de ajuste, manual de instrucciones y reflector (solo para sensores retro-reflectantes) | |||
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Sensor fotoeléctrico Omron E3S-AR11 E3S-AR21 E3 ...
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Sensores de proximidad de Omron E2K-X15MY1 E2K-X15MY2
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Sensor fotoeléctrico Omron E3JK-RR11 E3JK-RR12 ...
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Sensor fotoeléctrico Omron E3S-AD13 E3S-AD23 E3 ...
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Sensores de proximidad de Omron E2E-S04N02-WC-C1/-B1/-C ...
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Sensor fotoeléctrico Omron E3C-LR11 E3C-LR12
